Схема метод чохральского
Метод Чохральского с использованием пьедестала. Суть метода: в расплав в соответствующей футеровке вводится плоский нагревательный элемент, снабжённый температурными датчиками, распределёнными по площади. Метод Чохральского Более крупные монокристаллы полупроводников, в частности монокристаллы кремния, получают методом Чохральского, схема которого показана на рис. Метод Чохральского. М етод Чохральского — метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации. Метод Чохральского — метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава Схема, демонстрирующая рост кристалла по методу Чохральского, или "вытягивания " из расплава. Метод зонной плавки. Метод Чохральского был создан Яном Чохральским в 1916 году. Метод Чохральского относится к консервативным процесса, предназначенный для вытягивания монокристаллов из расплавов и растворов с помощью затравочного кристалла. Метод Чохральского имеет преимущества по сравнению с аналогичными методами роста монокристаллов: Одно из важнейших преимуществ данного метода - постоянство скорости роста. Схема выращивания кристалла из расплава методом Бриджмена. 1 – тигель; 2 – тепловой экран; 3 – затравка; 4 – держатель тигля; 5 – расплав; 6 –нагреватель; 7 – зона охлаждения. В методе Чохральского д.с.к. создается за счет локального переохлаждения поверхности расплава в месте контакта с затравочным кристаллом или теплоотводящим металлическим стержнем, а сам. Проведена оценка изотопного разбавления при выращивании монокристаллов стабильных изотопов кремния методом Чохральского с использованием тиглей из кварцевого стекла природного изотопного состава. Разработана.